サッパリ人気ありませんが、Hyper-G Evoメイン基板の製作を続けます。

前回その1に恥かしくて書けませんでしたが、様々な製作容易化手段を実施してなお、コテ先当ててもリード線がない部品挿し間違えが発生し、細かな作業の限界を感じてます。

3-3．ラッチ回路の部品実装（cont.）
発注した不足部品が到着したので、ラッチ回路を完成させます。

➊ラッチ回路コンデンサ1μFを電源入力側（写真左）＋で、抵抗2本も一緒に挿します。
➋半田付け余分カット、パターン半田濡らしで、黄丸抵抗2本電源側は足曲げだけです。

➊ショットキーダイオードリード線は1.2mmで基板穴に挿せません。
➋基板穴を1.3mmに広げると、穴径拡大でランドはほぼ消失します。
➌パワートランジスタ高さを超えない様に基板から浮かせ、極性に注意して挿します。
➍裏から見て右側は足曲げしてあったポリスイッチと抵抗リード線を使い半田付けし容量強化します、左側はリードカットだけです。

3-4．8ピンICｘ2個と下側の部品実装
コンパレータ/オペアンプICと周辺回路の実装です。

右下部33kΩとジャンパー線2本は出力回路で実装済みです。

➊コンパレータICを挿しました、写真右奥が1番ピン、ポツマークのある方向注意です。
➋ジャンパー線/33kΩ足曲げしてあったのを8/7番ピンへ、4番ピンも半田付けしました。
➌5番ピンVcompラインへ104Zと半田付け用電極を挿します。
➍104ZのGND側を足曲げしてポリスイッチまで容量強化します。

➊黄丸ジャンパー線2本と103Z/10kΩを挿します。
➋コンパレータIC 5/6番ピンラインを半田付けしました。
➌黄丸ジャンパー線3本と100μFアルミ電解コンデンサをを挿します。
➍足曲げしないで半田付け余分カット、パターン半田濡らしです。

ここでオペアンプICを挿して半田付けします、写真右上が1番ピンポツマークはコンパレータICと同じです、回路基板らしくなってきました。

実の処、現在へ並行して進めてる給水塔の物作りは楽しいですが、Hyper-G Evoメイン基板製作は苦痛です、ミス連発で衰えを実感させられるからです。　でも完成の喜びを味わうのに避けられないプロセスでここは我慢です、嫌な事は早く済ませたい、先に進めます。

3-5．IC上側の部品実装
次にIC上部の部品をラッチ回路側から実装します。

右がピークホールドコンパレータ式保護回路、左が三角波発生回路です。

➊コンパレータIC 2番ピンの2.7kΩ、3番ピンの103X、4番ピンのジャンパー線を挿します。
➋2.7kΩ電源側と103Z　GND側は足曲げして容量強化です。
➌保護回路基準電圧作成BAT43を挿し、3番ピンに被覆線ジャンパー線を挿し、、コンパレータIC全ピンラインを半田付けします。
➍ジャンパー線を基板反対側、足に電極加工した電源出力⊖BAT43に半田付けします、これで新たに追加したラッチ回路、ピークホールドコンパレータ式保護回路実装完了です。

➊矩形波/三角波発生回路右側から実装です、2.7kΩ3本とジャンパー線を挿しました。
➋足曲げしないで半田付け余分カット、パターン半田濡らしです、実態は盛ってます。
➌33kΩ3本挿しました、ここは選別不要です。
➍足曲げしないで半田付け余分カット、パターン半田濡らし、電源ラインだけ足曲げして容量強化です、リード線あれば半田盛り不要です。

➊103ZとGNDジャンパー線3本を挿します。
➋ここは足曲げして半田付けし容量強化します。

Hyper-G Evoメイン基板2枚が8割方完成しました。　平均すると中2日更新1回分に充てる時間は1-1.5日ですが、この基板製作はやり直し含めると2.5-3日必要な自転車操業です。

ではまた。